特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>18W,ηT>20% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=200mW
•宽带频率范围:1.24-1.30GHz
•低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模块尺寸:66 x 21 x 9.88 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制与输入功率
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