军工网首页管理子站欢迎访问军工网厂商子站-北京晶川电子技术发展有限责任公司
北京晶川电子公司为西门子/infineon/EUPEC 的IGBT模块及单管、快恢复二极管等中国一级代理!   Infineon(英飞凌)是原西门子半导体集团股票独立上市公司。功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT,具有高可靠、低成本的最优性能价格比。IGBT 芯片产量全球第一,当今全球每三片IGBT芯片就有一片是英飞凌生产的。英飞凌不仅生产IGBT芯片,还生产各种封装形式的IGBT单管、快恢复二极管等,IGBT模块、可控硅等归属于其100%子公司――EUPEC生产。 一,infineon IGBT 单管 IGBT型号    电流电压  饱和压降  额定功率     (25℃)  VCE(sat)  KW   封装形式  IKP06N60T 12A/600V 1.5V  0.4    TO220 IKP10N60T 20A/600V 1.5V  0.75  TO220 IKP15N60T 30A/600V 1.5V  1.5    TO220 IKP20N60T 40A/600V 1.5V  2.2    TO220 IKW20N60T 40A/600V 1.5V  2.2   TO247 IKW30N60T 60A/600V 1.5V  3.7    TO247 IKW50N60T 80*A/600V 1.5V  5.5   TO247 IKW75N60T 80*A/600V 1.5V  7.5   TO247 ....... IKW08T120 16A/1200V 1.7V 1.5 TO247 IKW15T120 30A/1200V 1.7V 3.7 TO247 IKW25T120 50A/1200V 1.7V 5.5 TO247 IKW40T120 75A/1200V 1.7V 7.5 TO247 ...... 特点: ☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术 ☆参数离散性小,便于批量生产使用 ☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有最优的性能价格比 ☆型号中电流按Tc=100℃时标称,有效使用电流大 ☆600V IGBT单管最大工作结温可达Tjmax≤175℃ ☆内置反并联软、快恢复(Em

©2025 北京晶川电子技术发展有限责任公司 版权所有   技术支持:军工网

86-010-63753812