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长命晶闸管(可控硅)模块

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简介
第三代晶闸管模块,性能优且稳,国际领先。一、特点·单向导电性指标,“漏电流”只及标准的1/200且长期稳定。 ·高级DBC底板使模块工作寿命指标,承受冷热冲击次数至少高过标准10倍(氧化铝DBC底板为5倍)。
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产品详情
第三代晶闸管模块,性能优且稳,国际领先。 一、特点 ·单向导电性指标,“漏电流”只及标准的1/200且长期稳定。 ·高级DBC底板使模块工作寿命指标,承受冷热冲击次数至少高过标准10倍(氧化铝DBC底板为5倍)。 ·散热能力最强,同等条件温升最低,避免快速热老化击穿。 ·浪涌电流为额定值的19~42倍(标准16倍)。 ·电压临界上升率高 dv/dt≥1000v/μs,不易误触发。 ·额定电流3~4倍(标准为1倍)时,管压降只有1.2~1.7V。 ·配上瞬态衰减器,可承受4KV脉冲群、浪涌过电压,避免快速电老化击穿,耐压无须超过1600V。 它以前太贵,工艺新突破使工业级产品的价格降到与国产可控硅模块差不多,便于普及应用。 二、电连接 模块内含有二个晶闸管芯;通用电连接型式,代号为C,见下图。1、2、3为功率端,配有不锈钢螺钉,可作为一个整流臂,用于直流电路;也可把2、3短接成一个端,1为另一端,构成“反并联”连接,用于交流电路。5、6端分别为对应的晶闸管的门极控制端,可用电线锡焊后引出。 三、主要应用 整流器、充电器、变流器、无功补偿节电器、交流调压器、固态开关等。 四、模块底板 市面上的晶闸管模块绝大多数是第一代产品,3mm 厚的铜底板沉甸甸的。铜板、陶瓷层、硅芯片三层材料热膨胀系数相差很大,冷热冲击使层间开裂损坏,属淘汰产品。 第二代晶闸管模块采用氧化铝DBC(Direct Bonding Copper)底板,由0.3mm薄铜皮与氧化铝(白色)键合成一体难以开裂,见图2。但是氧化铝的热膨胀系数与硅芯片相差还不够小,二者之间还会微裂。 第三代晶闸管模块采用高级DBC底板,见图3,由0.3mm薄铜皮与高级陶瓷层(白色)键合而成一体难以开裂。而且高级陶瓷层与硅芯片的热膨胀系数相接近,也不易开裂。福建省电子产品监督检测所测试证实:产品耐用性指标“承受冷热循环次数”达到JB/T7826-1995(即IEC TC47)标准的10倍以上。模块“工作寿命”难题才得到满意解决。目前国际上只有个别厂家能生产(第三代)长命晶闸管模块。 五、应用要点 1、模块额定电流Irms(有效值)应按其I2t选择。一般模块电流 Irms应大于负载额定电流的2~4倍。此外还应考虑启动电流的倍数和启动时间。 2、外加过电流保护电路可在电流超限时立即停止触发信号,却无法阻止晶闸管继续导通至零电流为止,因为晶闸管是不可关断器件。所以这种保护不完全,晶闸管过电流和短路保护用快速熔断器最可靠。 3、实践证明,380V星形连接应选择1600V的晶闸管,还应加衰减器方可承受4KV瞬态电压,避免晶闸管快速电老化击穿,大大延长工作寿命。衰减器连接在1、2和2、3之间,2~3年更新1次。 六、模块安装 1、模块底板与散热器之间的接触面一定要平整、光滑、清洁;如有毛刺、沙砾,可能刺伤底板电击穿。二接触面之间应垫上本公司的绝缘导热垫片(一次性使用);再用螺钉适度拧紧。 2、外接导线的端头应焊接铜鼻,再用不锈钢螺钉连接铜鼻与模块功率端;接触面之间涂导电膏避免接头过热,有利防腐防氧化。铜鼻最好镀银,连接孔约Ф6,不宜过大。 3、安装尺寸:图1;2;3分别对应型号MTC27、50、60、115;MTC130、180;MTC250、320、500。.. 七、型号 八、技术数据表 参数 型 号 MTC27-16CM MTC49-16CM MTC60-16CM MTC116-16CM MTC130-16CM MTC181-16CM MTC250-16CM MTC320-16CM MC500-16CM 电流 有效Irms 50 A 80 A 100 A 180 A 300 A 300 A 400 A 500 A 785A 平均Iavm 25 A 49 A 60 A 116 A 130 A 181 A 250 A 320 A 500A 浪涌电流倍数Ism/Iavm 19 倍 23 倍 25 倍 19 倍 42 倍 33 倍 34 倍 29 倍 30 倍 峰值电压Vrrm 每个管芯1600V,另加瞬态衰减器可承受4KV脉冲群、浪涌电压冲击 I2t, K*A2S 1.35 6.6 11.2 25.3 150 180 360 420 1120 di/dt,A/μS 150 100 dv/dt,V/μS 1000 门极功率Pgm 10 W 120 W 最高结温Tvjm 125℃ 140℃ 漏电流Irrm 3 mA 5 mA 10 mA 70 mA 当It=? A时 正向管压降Vt 80A 200A 300A 600A 1200A 1.65V 1.75V 1.57V 1.50V 1.36 1.25V 1.36 1.32 1.3V 门极 电压 Vto 0.85 0.80 0.85 0.80 反向 峰值 Vrgm= 10V 门极 触发 电压 Vgt=1.5 V 2.5V Vgt=2 V 电流 Igt=100 mA 150 mA 门极不触发电压Vgd=0.25V、门极不触发电流=Igd=10Ma;绝缘底板耐压3KV,另加导热绝缘片。
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