自动温控加热板NHP-320

3、              设备概要：本设备可以同时加热30片2″wafer，片子通过PIN升降达到所有wafer加热时间相同，克服因人工夹放wafer造成的工艺不稳定问题。

1)         基板尺寸：2″wafer；

2)         Through Put：30片/run；

3)         温度范围：20~150℃(Plate表面)；

4)         HP材质：AL+SALW（阳极处理）+Silastic Heater；

5)         加热面尺寸：(W×D×H) 510×430×12(mm)；

6)         温度分布：90℃ ±1℃；120℃±1℃；

7)         温度Sensor：PT100型热电偶；

8)         温度表示：温度调整器Digital表示；

9)         控制方式：Digital温度调整器+SSR（PID）；

10)    设备外面尺寸：(W×D×H) 566×486×170(mm)；

11)    设备净重：30Kg；

（1）.查看设备外观无运输破损后，将电源线插入~220V接线板插坐;插上供气管

（2）.打开电源开关，设备自检初始化，顶针(PIN)顶起

（3）.设置加热温度；设置工作时间

（4）.放上待加热晶片

（5）.按开始键，顶针下落，晶片落下，贴紧加热板，开始加热，时间继电器开始记时

（6）.时间到，顶针（PIN）同时顶起晶片，所有晶片同时离开热板不再加热，蜂鸣器响起提醒工作人员取下加热均匀的晶片。

（7）.工作过程中，遇突发事件，可按停止按健，顶针立即顶起晶片，停止加热，时间继电器复位，方便随时进行人工干预。

a)       30片/run，产能优势；

b)    Silastic Heater温度均匀性更高。